快科技8月31日消息，据媒体报道，三星电子已成功拿下英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）的主供应商地位，正在为其开发一款专属HBM产品。 该方案采用8层低堆叠设计，同时支持17~18Gbps高引脚速

　　快科技8月27日消息，英伟达近日宣布为NVLink Fusion定制芯片生态推出全新组件NVHBM，这是一款面向定制AI加速器的定制HBM解决方案。 英伟达宣称，NVHBM单栈带宽相比标准HBM4E最高提升30%，同时功

　　快科技8月15日消息，闪迪本周举办的投资者日演示因涉嫌数据不准确和关键信息遗漏，在社交媒体上引发科技圈广泛质疑。 批评者指出，闪迪在推介其HBF技术时，采用了选择性对比和过时数据，并有重

　　快科技8月4日消息，据TrendForce最新行业调研报告显示，受全球内存供应持续紧张影响，英伟达正考虑调整其下一代旗舰GPU Rubin Ultra的显存配置。 英伟达原本计划在Rubin Ultra上全系采用HBM4e

　　快科技7月11日消息，在IEEE 2026电子元件与技术大会（ECTC）上，英特尔全面展示了下一代封装解决方案EMIB-T。 EMIB原本采用嵌入式硅桥在局部实现高密度互连，EMIB-T则在硅桥中引入硅通孔实现垂

　　快科技7月10日消息，据美国银行全球研究部最新估算，英伟达下一代Rubin Ultra Kyber机架预估售价高达2100万美元（约合人民币1.42亿元）。 值得一PP电子官方网站提的是，仅HBM4e内存一项成本就飙升至153.4万美

　　快科技7月6日消息，据报道，三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的挑战。 混合键合技术在下一代HBM上的全面应用可能比预期进一步延迟。行业分析

　　快科技7月2日消息，三星电子近日提交了一项新型半导体封装专利，专利号为KRA。该专利针对高堆叠HBM4E与HBM5制程中的可靠性瓶颈实施结构革新。 行业正从8层向16层乃至更高堆叠迈进，

　　快科技7月1日消息，据媒体报道，三星首席技术官在近日举行的DS（器件解决方案）部门内部经营说明会上透露，其下一代高带宽存储器HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。 业界通常将80%以上视为

　　快科技6月18日消息，SK海力士宣布，已向主要客户交付新一代AI专用DRAMHBM4E的12层堆叠样品。 SK海力士表示：“凭借长期积累的HBM先导研发能力与量产经验，我们成功向客户提